三星的 DDR5-7200 的设计比之前的 DDR4 模块更密集，但新的堆栈只有 1.0 毫米，小于 DDR4 的 1.2 毫米。尺寸缩小是通过三星新的薄晶圆处理技术实现的，该技术将芯片之间的间隙减少了 40%，并导致高度显着降低。
三星是今年将发布 DDR5 RAM 的品牌之一——而且该制造商似乎拥有业界首创的产品。在一年一度的半导体披露活动 Hot Chips 33 期间，三星透露了其首款 DDR5 512GB RAM 模块的开发情况。据说这种新的内存模块比 DDR4 的性能提高了 40%，同时容量增加了一倍，电压更低。
新的大容量记忆棒的发布伴随着关于其架构的更深入的信息。DDR5-7200 将是一个 512GB 模块，由 8 个堆叠的 DDR5 芯片制成。据说这些管芯使用硅通孔 (TSV) 技术连接。升级到八个模具意义重大。它显示出比 DDR4 内存的显着改进，即使在可用的最佳 RAM 中，DDR4 内存也始终限制为四个芯片。
虽然三星的 DDR5-7200 的设计比之前的 DDR4 模块更密集，但新的堆栈只有 1.0 毫米，小于 DDR4 的 1.2 毫米。尺寸缩小是通过三星新的薄晶圆处理技术实现的，该技术将芯片之间的间隙减少了 40%，并导致高度显着降低。
除了更薄的设计，新模块还将在更低的电压下运行。据三星称，DDR5-7200 的运行电压为 1.1V，仅为 DDR4 RAM 中使用电压的 0.92 倍。通过使用高效电源管理集成电路 (PMIC) 和电压调节器，DDR5 变得更加高效。它还与高 k 金属栅极工艺相结合。三星表示，使用 PMIC 不仅降低了电压，还降低了噪音。
新的内存模块还将具有相同库刷新 (SBR) 功能。在 DRAM 总线被认为是多达 10％比其当前 DDR4 对应物更有效。三星还为其新 RAM 配备了新的决策反馈均衡器 (DFE)，以提高信号的稳定性。最后，该模块将有一个片上纠错码 (ODECC)，负责数据处理的安全性和可靠性。
尽管个人计算机中 512GB 内存的前景令人眼花缭乱（如果很大程度上超出了顶部），但三星的新模块并不是为普通台式机生产的。DDR5-7200 面向服务器和数据中心市场，但面向消费市场的 DDR5 内存也即将推出。
可以安全地假设消费者级内存最大为 64GB。然而，事实仍然是英特尔和 AMD 即将推出的主板和处理器将允许普通用户拥有以前闻所未闻的 RAM。如果所有预测都成真，一旦 DDR5 内存耗尽，主流用户将能够构建或购买具有 256GB RAM 的 PC。
三星预计，主流市场要到 2023 年甚至 2024 年才会转向 DDR5 RAM。不过，该制造商计划在今年年底开始量产 DDR5-7200 512GB RAM。一些制造商，例如 Corsair，将更快地发布其 DDR5 迭代版本。该品牌希望与英特尔新一代处理器 Alder Lake 一起发布 DDR5 内存，该处理器预计将于今年秋季上架。
