NAND什么意思
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。随着人们持续追求功耗更低、重量更轻和性能更佳的产品，NAND被证明极具吸引力。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。
拓展资料：
闪存结合了EPROM的高密度和EEPROM结构的变通性的优点。
EPROM是指其中的内容可以通过特殊手段擦去，然后重新写入。其基本单元电路如下图所示。常采用浮空栅雪崩注入式MOS电路，简称为FAMOS。它与MOS电路相似，是在N型基片上生长出两个高浓度的P型区，通过欧姆接触分别引出源极S和漏极D。
在源极和漏极之间有一个多晶硅栅极浮空在 绝缘层中，与四周无直接电气联接。这种电路以浮空栅极是否带电来表示存1或者0，浮空栅极带电后（例如负电荷），就在其下面，源极和漏极之间感应出正的导电沟道，使MOS管导通，即表示存入0.若浮空栅极不带电，则不能形成导电沟道，MOS管不导通，即存入1。
nand是什么意思
nand是和意思。
128MB的RAM才是内存。而16GB的空间相当于电脑的硬盘，用于给用户存储数据用的。NAND是一种闪存，也是用于存储东西的。但是它存储的东西是操作系统、启动程序和文件系统。
nand和flash区别
NAND和flash都是非易失性存储器的一种，但是它们有一些区别：
1. NAND是一种非易失性存储器类型，而Flash是一种存储器芯片的类型，它可以采用NAND、NOR或其他类型的存储芯片。
2. NAND是一种面向块的存储器，即它可以一次读取或写入一页数据。而Flash可以一次存储多个页面的数据。
3. NAND的读取速度较快，但写入速度较慢，Flash相对速度则较慢。
4. NAND使用SLC（单个级别存储）和MLC（多级别存储）技术，而Flash使用SLC和TLC（三级别存储）技术。
5. NAND可以存储大容量的数据，而Flash对容量的限制相对较小。
6. NAND在价格上相对较高，Flash则相对便宜。
综上所述，NAND和Flash虽然都是非易失性存储器，但是它们的性质和使用场景有所不同。
NAND是什么？
一般快闪记忆体可分为二大规格，一是NAND，一是NOR
简单的来说，NAND规格快闪记忆体像硬碟，以储存数据为主，又称为Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已达二Gb；NOR规格记忆体则类似DRAM，以储存程序代码为主，又称为Co deFlash，所以可让微处理器直接读取，但晶片容量较低，主流容量为五一二Mb
NAND规格与NOR规格快闪记忆体除了容量上的不同，读写速度也有很大的区分，NAND规格晶片写入与清除资料的速度远快于NOR规格，但是NOR规格晶片在读取资料的速度则快于NAND规格
NAND规格晶片多应用在小型记忆卡，以储存资料为主，NOR规格则多应用在通讯产品中
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什么是nand，什么是nor
NAND闪存的优点在于写(编程)和擦除操作的速率快，而NOR的优点是具有随机存取和对字节执行写(编程)操作的能力(见下图图2)。NOR的随机存取能力支持直接代码执行(XiP)，而这是嵌入式应用经常需要的一个功能。NAND的缺点是随机存取的速率慢，NOR的缺点是受到读和擦除速度慢的性能制约。NAND较适合于存储文件。如今，越来越多的处理器具备直接NAND接口，并能直接从NAND(没有NOR)导入数据。
编程速度快、擦除时间短
NAND的真正好处是编程速度快、擦除时间短。NAND支持速率超过5Mbps的持续写操作，其区块擦除时间短至2ms，而NOR是750ms。显然，NAND在某些方面具有绝对优势。然而，它不太适合于直接随机存取。
对于16位的器件，NOR闪存大约需要41个I/O引脚；相对而言，NAND器件仅需24个引脚。NAND器件能够复用指令、地址和数据总线，从而节省了引脚数量。复用接口的一项好处，就在于能够利用同样的硬件设计和电路板，支持较大的NAND器件。由于普通的TSOP-1封装已经沿用多年，该功能让客户能够把较高密度的NAND器件移植到相同的电路板上。NAND器件的另外一个好处显然是其封装选项：NAND提供一种厚膜的2Gb裸片或能够支持最多四颗堆叠裸片，容许在相同的TSOP-1封装中堆叠一个8Gb的器件。这就使得一种封装和接口能够在将来支持较高的密度。
NOR闪存的随机存取时间为0.12ms，而NAND闪存的之一字节随机存取速度要慢得多
NAND与ROM有什么区别
NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显；ROM 是 ROM image（只读内存镜像）的简称，常用于手机定制系统玩家的圈子中。
NAND工作原理
与磁性的HDD不同，NAND必须处于数据可以被写入的状态，没有HDD所具有的“位写入”（write-in-place）功能。如果数据已经被写在NAND上，那么该数据必须被擦除NAND才能接受新的数据。擦除是一个破环薄层材质的过程。
NAND机构的简单解释起到了对此稍做澄清的作用，虽然这仍然令人困惑。
NAND记忆体实质上由被称为页（page）和区块（block）的两类结构组成。每页最常见是4/2 KB（可以是其它大小，但这是最常见的），代表一个读取和写入单元。多个页组成32/128 KB或者128/512 KB的区块。NAND读取和写入是在页的级别上被执行的。相反，擦除是在区块级别上被执行的。
ROM定义
智能手机配置中的ROM指的是 EEProm (电擦除可写只读存储器)，类似于计算机的硬盘，一般手机刷机的过程，就是将只读内存镜像（ROM image）写入只读内存（ROM）的过程。智能手机的ROM指的是其存储空间，一般是由UFS等闪存 *** ，其硬件不是只读的，所谓只读是指软件层面对系统分区的读写权限设置。
常见的 ROM image 有 img、zip 等格式，前者通常用fastboot程序通过数据线刷入（线刷），后者通常用 recovery 模式从 sd刷入（卡刷），固 img 镜像也被称为线刷包，zip 镜像也被称为卡刷包。
因为 ROM image 是定制系统最常见的发布形式，所以通常玩家会使用 ROM 这个词指代手机的操作系统。
